IGLD60R070D1AUMA3

Tillverkare Produktnummer:

IGLD60R070D1AUMA3

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IGLD60R070D1AUMA3-DG

Beskrivning:

GANFET N-CH

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Inventarier:

1584 Pcs Ny Original I Lager

12965620

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IGLD60R070D1AUMA3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

CoolGaN™

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

GaNFET (Gallium Nitride)

Tömning till källspänning (Vdss)

600 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

15A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

-

rds på (max) @ id, vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 2.6mA

Vgs (max)

-10V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

380 pF @ 400 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

114W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PG-LSON-8-1

Paket / Fodral

8-LDFN Exposed Pad

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

IGLD60R070D1AUMA3

HTML-Datasheet

IGLD60R070D1AUMA3-DG

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

448-IGLD60R070D1AUMA3DKR

SP005557209

448-IGLD60R070D1AUMA3CT

448-IGLD60R070D1AUMA3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

3 (168 Hours)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

rohm-semi

R6509END3TL1

650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER

IGOT60R042D1AUMA2

GANFET N-CH

rohm-semi

BSS138BWAHZGT106

NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI

panjit

PJE138K-AU_R1_000A1

SOT-523, MOSFET