Tillverkare Produktnummer:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK33S10N1L,LQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventarier:
1997 Pcs Ny Original I Lager
12943189
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK33S10N1L,LQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK+
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TK33S10
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK33S10N1L,LXHQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3908
DEL NUMMER
TK33S10N1L,LXHQ-DG
ENHETSPRIS
0.45
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCC8136.LQ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
TK40J20D,S1F(O
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
