BSZ0911LSATMA1
Tillverkare Produktnummer:

BSZ0911LSATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

BSZ0911LSATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventarier:

29980 Pcs Ny Original I Lager
12943195
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

BSZ0911LSATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8 FL
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
BSZ0911

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
5,000
Andra namn
448-BSZ0911LSATMA1CT
448-BSZ0911LSATMA1DKR
448-BSZ0911LSATMA1TR
SP005424280
SP00542428

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

BSZ0702LSATMA1

MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON

renesas-electronics-america

UPA2821T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON

vishay-siliconix

IRF740L

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

infineon-technologies

IQDH29NE2LM5CGATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR