TK31E60X,S1X
Tillverkare Produktnummer:

TK31E60X,S1X

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TK31E60X,S1X-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220

Inventarier:

50 Pcs Ny Original I Lager
12890323
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TK31E60X,S1X Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
88mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
TK31E60

Datablad och dokument

Datablad
TK31E60X

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
TK31E60XS1X
TK31E60X,S1X(S

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TK7J90E,S1E

MOSFET N-CH 900V 7A TO3P

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8065-H,LQ(S

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

diodes

DMN3016LFDE-7

MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TK12A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS