Tillverkare Produktnummer:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK7J90E,S1E-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventarier:
25 Pcs Ny Original I Lager
12890324
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK7J90E,S1E Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSVIII
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
200W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-3P(N)
Paket / Fodral
TO-3P-3, SC-65-3
Grundläggande produktnummer
TK7J90
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
