Tillverkare Produktnummer:
TK10A50W,S5X
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK10A50W,S5X-DG
Beskrivning:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
138 Pcs Ny Original I Lager
12954538
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK10A50W,S5X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
TK10A50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK10A50W,S5X(M
264-TK10A50WS5X
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
