Tillverkare Produktnummer:
FDS6676AS
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FDS6676AS-DG
Beskrivning:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
5369 Pcs Ny Original I Lager
12954540
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FDS6676AS Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2510 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
FDS66
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
567
Andra namn
2156-FDS6676AS
ONSFSCFDS6676AS
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
IRFP254
MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
