Tillverkare Produktnummer:
TJ60S06M3L,LXHQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TJ60S06M3L,LXHQ-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventarier:
1828 Pcs Ny Original I Lager
12939584
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TJ60S06M3L,LXHQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max)
+10V, -20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7760 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
100W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK+
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TJ60S06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
TJ60S06M3L,LXHQ(O
264-TJ60S06M3LLXHQTR
264-TJ60S06M3LLXHQCT
264-TJ60S06M3LLXHQDKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT20M34SLLG/TR
MOSFET N-CH 200V 74A D3PAK
2SK3755-AZ
TRANSISTOR
NTLUS030N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
