Tillverkare Produktnummer:
XPW6R30ANB,L1XHQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
XPW6R30ANB,L1XHQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Inventarier:
762 Pcs Ny Original I Lager
12939599
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
XPW6R30ANB,L1XHQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
960mW (Ta), 132W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-DSOP Advance
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
XPW6R30
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
XPW6R30ANB,L1XHQ(O
264-XPW6R30ANBL1XHQCT
264-XPW6R30ANBL1XHQTR
264-XPW6R30ANBL1XHQDKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
XPH6R30ANB,L1XHQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9174
DEL NUMMER
XPH6R30ANB,L1XHQ-DG
ENHETSPRIS
0.70
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK200F04N1L,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
XPH4R714MC,L1XHQ
MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
TJ50S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
