Tillverkare Produktnummer:
SSM6J808R,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM6J808R,LF-DG
Beskrivning:
P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Inventarier:
10631 Pcs Ny Original I Lager
13309570
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM6J808R,LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
+10V, -20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
150°C
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP-F
Paket / Fodral
6-SMD, Flat Leads
Grundläggande produktnummer
SSM6J808
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMTH12H007SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5
PSMNR56-25YLEX
PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS
DMP22D5UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-