Tillverkare Produktnummer:
DMN39M1LK3-13
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN39M1LK3-13-DG
Beskrivning:
MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 17.9A (Ta), 89.3A (Tc) 1.4W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
2460 Pcs Ny Original I Lager
13309606
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN39M1LK3-13 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Bulk
Serie
-
Emballage
Bulk
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.9A (Ta), 89.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2253 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.4W (Ta), 65.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
DMN39
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
31-DMN39M1LK3-13
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMP31D7LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DMP3036SFVQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI333
DMTH10H032LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
