Tillverkare Produktnummer:
SSM3K56MFV,L3F
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM3K56MFV,L3F-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventarier:
35190 Pcs Ny Original I Lager
12889234
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM3K56MFV,L3F Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVII-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
55 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
VESM
Paket / Fodral
SOT-723
Grundläggande produktnummer
SSM3K56
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
8,000
Andra namn
SSM3K56MFVL3FDKR
SSM3K56MFVL3FTR
SSM3K56MFV,L3F(B
SSM3K56MFV,L3F(T
SSM3K56MFVL3FCT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
TK13E25D,S1X(S
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
SSM3J372R,LF
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
