Tillverkare Produktnummer:
TK20C60W,S1VQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
TK20C60W,S1VQ-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
12889253
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TK20C60W,S1VQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
DTMOSIV
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1680 pF @ 300 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
TK20C60
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STI33N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9000
DEL NUMMER
STI33N65M2-DG
ENHETSPRIS
1.70
Ersättnings typ
Direct
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK8A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
