Tillverkare Produktnummer:
SSM3J168F,LXHF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM3J168F,LXHF-DG
Beskrivning:
SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 400mA (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventarier:
9878 Pcs Ny Original I Lager
12964247
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM3J168F,LXHF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.55Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (max)
+10V, -20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
82 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
S-Mini
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
264-SSM3J168FLXHFCT
264-SSM3J168FLXHFTR
SSM3J168F,LXHF(B
264-SSM3J168FLXHFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS7D8N10GTWG
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
SQ7415CENW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
NTBG015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
