Tillverkare Produktnummer:
NTBG015N065SC1
Product Overview
Tillverkare:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
NTBG015N065SC1-DG
Beskrivning:
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 145A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventarier:
1459 Pcs Ny Original I Lager
12964257
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
NTBG015N065SC1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
onsemi
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
145A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
15V, 18V
rds på (max) @ id, vgs
18mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 25mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
283 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4689 pF @ 325 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK-7
Paket / Fodral
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
488-NTBG015N065SC1DKR
488-NTBG015N065SC1TR
488-NTBG015N065SC1CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTPF095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
FCPF250N65S3L1-F154
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
NTMT095N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
