SSM3J168F,LF
Tillverkare Produktnummer:

SSM3J168F,LF

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

SSM3J168F,LF-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 400mA (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventarier:

13467 Pcs Ny Original I Lager
12889347
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SSM3J168F,LF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
3 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
82 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.2W (Ta)
Drifttemperatur
150°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SSM3J168

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SSM3J168FLFTR
SSM3J168FLF
SSM3J168FLF(B
SSM3J168FLF-DG
SSM3J168FLFCT
SSM3J168F,LF(B
SSM3J168FLFDKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3844(Q)

MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A60W,S4VX

MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J212FE,LF

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3566(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS