Tillverkare Produktnummer:
SSM6J212FE,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
SSM6J212FE,LF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventarier:
12889356
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SSM6J212FE,LF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
970 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
ES6
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Grundläggande produktnummer
SSM6J212
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SSM6J212FELFCT
SSM6J212FE(TE85LFTR-DG
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FELFDKRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J212FE(TE85LFCT-DG
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FETE85LF
SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FELFCTINACTIVE
SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FELFDKR
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK3566(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
