Tillverkare Produktnummer:
RN2911,LF
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN2911,LF-DG
Beskrivning:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12891422
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN2911,LF Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN2911
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN2911LF(CTTR-DG
RN2911LF(CTDKR-DG
RN2911LF(CTTR
RN2911LFTR
RN2911LF(CTCT-DG
RN2911LF(CTDKR
RN2911,LF(CB
RN2911LF(CTCT
RN2911,LF(CT
RN2911LFCT
RN2911LFDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN2904,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1964FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN49A2,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
