Tillverkare Produktnummer:
RN1705JE(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1705JE(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
Inventarier:
510 Pcs Ny Original I Lager
12891442
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1705JE(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
2.2kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-553
Paket för leverantörsenhet
ESV
Grundläggande produktnummer
RN1705
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
RN1705JE(TE85LF)DKR
RN1705JE(TE85LF)TR
RN1705JE(TE85LF)CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1604(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN4603(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
