Tillverkare Produktnummer:
RN1965FE(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1965FE(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventarier:
20 Pcs Ny Original I Lager
12889749
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
ME9C
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1965FE(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Obsolete
Typ av transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
2.2kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
100mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SOT-563, SOT-666
Paket för leverantörsenhet
ES6
Grundläggande produktnummer
RN1965
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
RN1965FE(TE85LF)CT
RN1965FETE85LF
RN1965FE(TE85LF)TR
RN1965FE(TE85LF)DKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PEMH10,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7750
DEL NUMMER
PEMH10,115-DG
ENHETSPRIS
0.07
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4901FE,LF(CT
PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
RN1510(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1968(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
