Tillverkare Produktnummer:
RN1968(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1968(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12889765
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1968(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
22kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
47kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN1968
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1968(TE85LF)DKR
RN1968(TE85LF)TR
RN1968(TE85LF)CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN4901(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN2506(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
RN4988FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
