Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
RN1909(T5L,F,T)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN1909(T5L,F,T)-DG
Beskrivning:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventarier:
2960 Pcs Ny Original I Lager
12889520
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN1909(T5L,F,T) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Cut Tape (CT)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
47kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
22kOhms
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
250MHz
Effekt - Max
200mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket för leverantörsenhet
US6
Grundläggande produktnummer
RN1909
Datablad och dokument
Datablad
RN1907-09
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN1909(T5LFT)TR
RN1909(T5LFT)CT
RN1909(T5LFT)DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
DDC144EU-7-F
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
8361
DEL NUMMER
DDC144EU-7-F-DG
ENHETSPRIS
0.04
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SMUN5237DW1T1G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2978
DEL NUMMER
SMUN5237DW1T1G-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Upgrade
DELNUMMER
PUMH17,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4645
DEL NUMMER
PUMH17,115-DG
ENHETSPRIS
0.02
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1909FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN4611(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
RN1904,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6