Tillverkare Produktnummer:
RN4611(TE85L,F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN4611(TE85L,F)-DG
Beskrivning:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Detaljerad beskrivning:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventarier:
12889558
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RN4611(TE85L,F) Tekniska specifikationer
Kategori
Bipolär (BJT), Bipolära transistorarrayer, förinställda
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
Typ av transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ström - kollektor (ic) (max)
100mA
Spänning - uppdelning av kollektorsändare (max)
50V
Motstånd - bas (R1)
10kOhms
Motstånd - emitterbas (R2)
-
DC-strömförstärkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce mättnad (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ström - Kollektorns avstängning (max)
100nA (ICBO)
Frekvens - Övergång
200MHz
Effekt - Max
300mW
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
SC-74, SOT-457
Paket för leverantörsenhet
SM6
Grundläggande produktnummer
RN4611
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
RN4611(TE85LF)TR
RN4611(TE85LF)CT
RN4611(TE85LF)DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PUMD4,115
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5000
DEL NUMMER
PUMD4,115-DG
ENHETSPRIS
0.03
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
RN1910,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
RN1904,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2712JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
