Tillverkare Produktnummer:
2SK3564(STA4,Q,M)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SK3564(STA4,Q,M)-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventarier:
176 Pcs Ny Original I Lager
12890039
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SK3564(STA4,Q,M) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tube
Serie
π-MOSIV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220SIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
2SK3564
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564(Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564Q-DG
2SK3564(STA4Q)-DG
2SK3564STA4QM
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564-NDR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK17E80W,S1X
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
TK25E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM3K310T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 5A TSM
