Tillverkare Produktnummer:
2SJ304(F)
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SJ304(F)-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 14A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Inventarier:
12889714
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
2SJ304(F) Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
40W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220NIS
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
2SJ304
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FQPF27P06
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
FQPF27P06-DG
ENHETSPRIS
0.78
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TK6A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
TK31N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
SSM3K44FS,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
