Tillverkare Produktnummer:
CSD18536KCS
Product Overview
Tillverkare:
Texas Instruments
DiGi Electronics Delenummer:
CSD18536KCS-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
122 Pcs Ny Original I Lager
12814958
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CSD18536KCS Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tube
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11430 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
CSD18536
Datablad och dokument
Tillverkarens produktsida
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
CSD18536KCS-DG
TEXTISCSD18536KCS
296-47185
2156-CSD18536KCS
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
CSD25211W1015
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
IRL2505SPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
