Tillverkare Produktnummer:
CSD25211W1015
Product Overview
Tillverkare:
Texas Instruments
DiGi Electronics Delenummer:
CSD25211W1015-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventarier:
383 Pcs Ny Original I Lager
12814961
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
CSD25211W1015 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-6V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Fodral
6-UFBGA, DSBGA
Grundläggande produktnummer
CSD25211
Datablad och dokument
Tillverkarens produktsida
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
CSD25211W1015-DG
-296-36578-1-DG
296-36578-6-NDR
-296-36578-1
296-36578-1
296-36578-2-NDR
296-36578-1-NDR
296-36578-2
-CSD25211W1015-NDR
296-36578-6
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
PMCM6501UPEZ
Tillverkare
Nexperia USA Inc.
ANTAL TILLGÄNGLIGT
15278
DEL NUMMER
PMCM6501UPEZ-DG
ENHETSPRIS
0.18
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL2505SPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
