CSD17303Q5
Tillverkare Produktnummer:

CSD17303Q5

Product Overview

Tillverkare:

Texas Instruments

DiGi Electronics Delenummer:

CSD17303Q5-DG

Beskrivning:

CSD17303Q5 30V, N CHANNEL NEXFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

Inventarier:

1490 Pcs Ny Original I Lager
12946941
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

CSD17303Q5 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Texas Instruments
Förpackning
Bulk
Serie
NexFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
3V, 8V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 25A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
+10V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3420 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.2W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad
CSD17303Q5 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
301
Andra namn
TEXTISCSD17303Q5
2156-CSD17303Q5

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDB035AN06A0

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

IRF1010ZPBF

IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDD8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3