FDD8882
Tillverkare Produktnummer:

FDD8882

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDD8882-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventarier:

11990 Pcs Ny Original I Lager
12946964
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDD8882 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
55W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datablad och dokument

Datablad
FDU8882

Ytterligare information

Standard-paket
588
Andra namn
2156-FDD8882
FAIFSCFDD8882

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDMS8023S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1