FDB029N06
Tillverkare Produktnummer:

FDB029N06

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDB029N06-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

5208 Pcs Ny Original I Lager
12946970
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDB029N06 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
231W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
73
Andra namn
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8796

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE