Tillverkare Produktnummer:
STP9NK65Z
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP9NK65Z-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 6.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12870519
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP9NK65Z Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
SuperMESH™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1145 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP9NK65
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFB9N65APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
912
DEL NUMMER
IRFB9N65APBF-DG
ENHETSPRIS
1.19
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
FCP4N60
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1335
DEL NUMMER
FCP4N60-DG
ENHETSPRIS
1.02
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFP10N80P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
242
DEL NUMMER
IXFP10N80P-DG
ENHETSPRIS
2.72
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STH320N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK
STL130N6F7
MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
STH140N8F7-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
