FCP4N60
Tillverkare Produktnummer:

FCP4N60

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCP4N60-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

1335 Pcs Ny Original I Lager
12946349
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCP4N60 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
267
Andra namn
2156-FCP4N60
FAIFSCFCP4N60

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

AUIRFS3806

MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK6607-55C,118

NOW NEXPERIA BUK6607-55C - 100A,

fairchild-semiconductor

FDP8860

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FDP3672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5