FDP8860
Tillverkare Produktnummer:

FDP8860

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDP8860-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

17481 Pcs Ny Original I Lager
12946355
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDP8860 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12240 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
254W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
238
Andra namn
ONSONSFDP8860
2156-FDP8860

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDP3672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK