Tillverkare Produktnummer:
STP4NB100
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP4NB100-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12878891
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP4NB100 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
PowerMESH™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP4N
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-2647-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFBG30PBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4495
DEL NUMMER
IRFBG30PBF-DG
ENHETSPRIS
1.02
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXTP3N100P
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
273
DEL NUMMER
IXTP3N100P-DG
ENHETSPRIS
2.08
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STH270N4F3-6
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
STS13N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
