Tillverkare Produktnummer:
IXTP3N100P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTP3N100P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventarier:
273 Pcs Ny Original I Lager
12819850
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXTP3N100P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
Polar P3™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXTP3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTT48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO268
IXTN90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
IXFP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
