Tillverkare Produktnummer:
STP10N65K3
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP10N65K3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
12875177
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP10N65K3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP10
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFB9N65APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
912
DEL NUMMER
IRFB9N65APBF-DG
ENHETSPRIS
1.19
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP11N65M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1996
DEL NUMMER
STP11N65M2-DG
ENHETSPRIS
0.67
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP5NK50ZFP
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
STS5N15F4
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
STU9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
