Tillverkare Produktnummer:
STB28N60DM2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB28N60DM2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
1791 Pcs Ny Original I Lager
12875191
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB28N60DM2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB28
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
497-16349-6
497-16349-2
497-16349-1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD3NM50T4
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
STI24NM60N
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
STP18N65M2
MOSFET N-CH 650V 12A TO220