Tillverkare Produktnummer:
STI18N65M5
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STI18N65M5-DG
Beskrivning:
MOSFET N CH 650V 15A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
348 Pcs Ny Original I Lager
12875459
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STI18N65M5 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
MDmesh™ V
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
220mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
STI18N
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-13272-5
-497-13272-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPI60R190C6XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
495
DEL NUMMER
IPI60R190C6XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.43
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STP18N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
896
DEL NUMMER
STP18N65M5-DG
ENHETSPRIS
1.26
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP40NF12
MOSFET N-CH 120V 40A TO220AB
STW13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
