Tillverkare Produktnummer:
STL3N65M2
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STL3N65M2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventarier:
4759 Pcs Ny Original I Lager
12875476
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STL3N65M2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ M2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
155 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
22W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
STL3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
497-18738-6
497-18738-2
497-18738-1
STL3N65M2-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STH320N4F6-6
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
STH290N4F6-2AG
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STP33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
