Tillverkare Produktnummer:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STH80N10LF7-2AG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventarier:
12946006
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STH80N10LF7-2AG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
STripFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
H2PAK-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STH80
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RSJ650N10TL
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
970
DEL NUMMER
RSJ650N10TL-DG
ENHETSPRIS
2.94
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
HUF75545S3ST
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6270
DEL NUMMER
HUF75545S3ST-DG
ENHETSPRIS
1.50
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STB14NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
AUIRFS8405TRL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
2SK536-TB-E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
