FCP130N60
Tillverkare Produktnummer:

FCP130N60

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCP130N60-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

127 Pcs Ny Original I Lager
12946034
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCP130N60 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3590 pF @ 380 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
278W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad
FCP130N60 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
127
Andra namn
ONSFSCFCP130N60
2156-FCP130N60

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
nxp-semiconductors

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP13N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP11N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1