Tillverkare Produktnummer:
STD65N160M9
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STD65N160M9-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 650 V, 132 MOHM TYP.,
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
2463 Pcs Ny Original I Lager
12989218
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STD65N160M9 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1239 pF @ 400 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
106W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
497-STD65N160M9CT
497-STD65N160M9TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPTG039N15NM5ATMA1
TRENCH >=100V
MCB110N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
MCB120N08Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK
