IPTG039N15NM5ATMA1
Tillverkare Produktnummer:

IPTG039N15NM5ATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPTG039N15NM5ATMA1-DG

Beskrivning:

TRENCH >=100V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8

Inventarier:

Förfrågan Online
12989220
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IPTG039N15NM5ATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 190A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 243µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 319W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-HSOG-8
Paket / Fodral
8-PowerSMD, Gull Wing

Datablad och dokument

Datablad
IPTG039N15NM5

Ytterligare information

Standard-paket
1,800
Andra namn
448-IPTG039N15NM5ATMA1TR
448-IPTG039N15NM5ATMA1DKR
448-IPTG039N15NM5ATMA1CT
SP005676943

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
micro-commercial-components

MCB110N10Y-TP

N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

micro-commercial-components

MCB120N08Y-TP

N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

goford-semiconductor

G2K3N10H

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223

micro-commercial-components

MSJPF08N90A-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-220F