Tillverkare Produktnummer:
STB25NM60N-1
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STB25NM60N-1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventarier:
12877561
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STB25NM60N-1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
MDmesh™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
160W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-5730
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
TK20G60W,RVQ
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
TK20G60W,RVQ-DG
ENHETSPRIS
1.14
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IXFA22N65X2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
250
DEL NUMMER
IXFA22N65X2-DG
ENHETSPRIS
2.56
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
SIHB22N60AE-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SIHB22N60AE-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.63
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STW23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
STFI20NK50Z
MOSFET N-CH 500V 17A I2PAKFP
STI6N95K5
NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET
