STB17N80K5
Tillverkare Produktnummer:

STB17N80K5

Product Overview

Tillverkare:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

STB17N80K5-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 14A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

531 Pcs Ny Original I Lager
12880393
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

STB17N80K5 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ K5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
340mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
866 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
STB17

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
STB17N80K5-DG
497-19307-6
497-19307-1
497-19307-2

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
SPB11N60C3ATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2703
DEL NUMMER
SPB11N60C3ATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.53
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
stmicroelectronics

STP13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

stmicroelectronics

STD30PF03LT4

MOSFET P-CH 30V 24A DPAK

stmicroelectronics

STP21NM60ND

MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB

stmicroelectronics

STL16N60M2

MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV