Tillverkare Produktnummer:
STP13NM60ND
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
STP13NM60ND-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
87 Pcs Ny Original I Lager
12880396
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
STP13NM60ND Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
Tube
Serie
FDmesh™ II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
845 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
109W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
STP13
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-13881-5
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STD30PF03LT4
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
STP21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
STL16N60M2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
