Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IRF630FP
Product Overview
Tillverkare:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Delenummer:
IRF630FP-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventarier:
Förfrågan Online
12945982
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF630FP Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
STMicroelectronics
Förpackning
-
Serie
MESH OVERLAY™ II
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
30W (Tc)
Drifttemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220FP
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
IRF6
Datablad och dokument
Datablad
IRF630(FP)
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
497-12489-5
IRF630FP-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RCX100N25
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
429
DEL NUMMER
RCX100N25-DG
ENHETSPRIS
0.86
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
FQPF630
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
20715
DEL NUMMER
FQPF630-DG
ENHETSPRIS
0.62
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRFI630GPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1686
DEL NUMMER
IRFI630GPBF-DG
ENHETSPRIS
1.16
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
IRF630
Tillverkare
Harris Corporation
ANTAL TILLGÄNGLIGT
11535
DEL NUMMER
IRF630-DG
ENHETSPRIS
0.80
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STF9NK80Z
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220FP
STN4NF20L
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
STH80N10LF7-2AG
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
STB14NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK