Tillverkare Produktnummer:
RS1P600BHTB1
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
RS1P600BHTB1-DG
Beskrivning:
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventarier:
2440 Pcs Ny Original I Lager
12976099
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
RS1P600BHTB1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4080 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 35W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-HSOP
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
RS1P
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
846-RS1P600BHTB1TR
846-RS1P600BHTB1CT
846-RS1P600BHTB1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
RS1P600BHTB1
Tillverkare
Rohm Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2440
DEL NUMMER
RS1P600BHTB1-DG
ENHETSPRIS
1.25
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SCT4062KRC15
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE