Tillverkare Produktnummer:
R6061YNZ4C13
Product Overview
Tillverkare:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
R6061YNZ4C13-DG
Beskrivning:
NCH 600V 61A, TO-247, POWER MOSF
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 61A (Tc) 568W (Tc) Through Hole TO-247
Inventarier:
596 Pcs Ny Original I Lager
13005798
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
R6061YNZ4C13 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
ROHM Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V, 12V
rds på (max) @ id, vgs
60mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 3.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
568W (Tc)
Drifttemperatur
150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
R6061
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
846-R6061YNZ4C13
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IAUCN04S7N004ATMA1
MOSFET_(20V 40V)
TPH9R00CQ5,LQ
150V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 9M
GAN140-650EBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE