Tillverkare Produktnummer:
XPJR6604PB,LXHQ
Product Overview
Tillverkare:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
XPJR6604PB,LXHQ-DG
Beskrivning:
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount S-TOGL™
Inventarier:
2857 Pcs Ny Original I Lager
13005807
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
XPJR6604PB,LXHQ Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.66mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11380 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
S-TOGL™
Paket / Fodral
5-PowerSFN
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
1,500
Andra namn
264-XPJR6604PB,LXHQDKR
264-XPJR6604PB,LXHQTR-DG
264-XPJR6604PBLXHQCT
XPJR6604PB,LXHQ(O
264-XPJR6604PB,LXHQCT
264-XPJR6604PB,LXHQDKR-DG
264-XPJR6604PB,LXHQTR
264-XPJR6604PB,LXHQCT-DG
264-XPJR6604PBLXHQTR
264-XPJR6604PBLXHQDKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
E3M0045065K
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
